1、定義與分類
異形鈦靶材指通過特殊加工工藝制成 非標準幾何形狀 的鈦濺射靶材，需根據客戶設備結構或鍍膜需求進行定制化設計。其形態(tài)多樣，常見類型包括：
復雜曲面靶：如波浪形、螺旋形，適配曲面基材的均勻鍍膜。
微型靶：用于MEMS（微機電系統(tǒng)）或微型傳感器鍍膜（尺寸可小至毫米級）。
組合結構靶：多孔結構、網格狀或分段式靶材，用于梯度鍍層或局部沉積。
異形管狀靶：彎管、錐形管等，適應特殊腔體濺射需求。
2、性能特點
定制化適配性：
形狀與鍍膜區(qū)域高度匹配，減少掩膜使用，提升材料利用率（最高可達90%）。
解決復雜基材（如齒輪、渦輪葉片）的 邊緣效應 和 陰影效應。
制造挑戰(zhàn)：
加工精度要求高（公差±0.05 mm），需避免應力集中導致的裂紋。
微觀結構均勻性控制難度大（晶粒尺寸需≤50 μm）。
成本特性：
單件成本高（開模/編程費用占比大），但批量生產可攤薄成本。
3、材質與制造工藝
材質選擇：
純鈦：TA1（99.5%）、TA2（99.2%）或高純鈦（4N5級以上），根據鍍膜性能需求選擇。
鈦合金：如Ti6Al4V，用于耐磨或高溫涂層。
核心工藝：
增材制造（3D打印）：
粉末床熔融（SLM）技術直接成型復雜結構，材料利用率＞95%。
需后處理（熱等靜壓HIP）消除內部氣孔（氣孔率≤0.1%）。
精密鑄造：
失蠟鑄造+真空熔煉，適合大尺寸異形靶（如直徑＞500 mm的曲面靶）。
數控加工：
五軸聯動銑床/電火花加工（EDM），精度達±0.02 mm。
焊接組合：
分段靶材通過真空電子束焊接（EBW）拼接，焊縫強度≥母材90%。
4、應用領域
| 行業(yè) | 典型應用 | 靶材形態(tài)示例 |
| 半導體 | 3D NAND存儲器的深孔鍍膜（Ti/TiN阻擋層） | 多節(jié)錐形管靶 |
| 航空航天 | 渦輪葉片熱障涂層（YSZ+鈦粘結層） | 仿形曲面靶 |
| 醫(yī)療器械 | 骨科植入物多孔表面的生物活性鍍層（羥基磷灰石+鈦） | 多孔網格靶 |
| 光學器件 | 非球面透鏡的漸變折射率鍍層 | 環(huán)形分段靶 |
| 新能源 | 燃料電池雙極板流道內的防腐蝕鍍層 | 微型溝槽靶 |
5、與標準鈦靶材的對比
| 特性 | 異形鈦靶材 | 標準鈦靶材（平面/圓柱） |
| 加工成本 | 高（定制化設計+復雜工藝） | 低（標準化生產） |
| 材料利用率 | 70-95%（形狀適配基材） | 30-70%（邊緣損耗顯著） |
| 鍍膜均勻性 | 高（減少掩膜與邊緣效應） | 中（需優(yōu)化磁場/旋轉濺射） |
| 生產周期 | 長（設計+試制需2-6個月） | 短（1-4周批量交付） |
| 適用場景 | 特殊結構基材、精密器件 | 常規(guī)平面/旋轉鍍膜 |
6、選購方法與注意事項
選購方法
需求明確化：
提供 基材3D模型 或 鍍膜區(qū)域示意圖，標注關鍵尺寸與膜厚要求。
明確工藝參數：濺射功率（W/cm2）、工作氣壓（Pa）、靶-基距（mm）。
供應商能力評估：
技術能力：是否具備 3D打印+HIP后處理、 五軸精密加工 等關鍵技術。
案例驗證：要求提供同類異形靶的 鍍膜均勻性測試報告（如SEM膜厚分布圖）。
成本控制策略：
小批量試制：先制作 縮比模型（1:5或1:10）驗證可行性。
材料選擇：TA1/TA2級鈦可降本，4N級僅用于半導體等高要求場景。
注意事項
設計優(yōu)化：
避免銳角設計（最小圓角R≥1 mm），防止濺射時電荷集中導致電弧放電。
復雜內腔靶需預留冷卻水路（如直徑Φ3 mm的銅管埋入結構）。
檢測與驗收：
三維形貌掃描：對比實際靶材與設計模型的偏差（允許±0.1 mm）。
濺射測試：在客戶設備上進行 試鍍膜，驗證膜厚均勻性（如±5%以內）。
維護與再生：
定期使用 激光測厚儀 監(jiān)測靶材消耗，局部修補可采用 冷噴涂技術。
報廢異形靶可破碎重熔，但需注意雜質累積（如O含量增量≤200 ppm）。
異形鈦靶材通過定制化設計解決了復雜結構鍍膜的行業(yè)痛點，盡管初期成本與周期較高，但其在材料利用率、鍍膜精度上的優(yōu)勢顯著。選購時需緊密協同設計與工藝團隊，優(yōu)先選擇具備增材制造與精密加工能力的供應商，并通過小批量試制驗證可行性。在半導體3D集成、航空航天高溫涂層等前沿領域，異形靶材正逐步成為不可替代的核心材料。
